博士学位毕业论文提纲范文_论文提纲
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博士学位毕业论文提纲范文一
摘要 4-6
Abstract 6-7
目录 8-11
第1章 绪论 11-37
1.1 课题研究背景及意义 11-12
1.2 透明导电薄膜的分类及特性 12-20
1.2.1 单层透明导电薄膜 13-19
1.2.2 叠层透明导电薄膜 19-20
1.3 界面对叠层透明导电薄膜性能的影响 20-22
1.3.1 界面对叠层透明导电薄膜稳定性的影响 21-22
1.3.2 界面对叠层透明导电薄膜光电性能的影响 22
1.4 透明导电薄膜的应用 22-30
1.5 叠层透明导电薄膜的研究现状 30-34
1.6 本论文的主要工作及创新点 34-37
第2章 新型高性能NiO/Ag/NiO叠层透明导电薄膜的制备及其在有机太阳能电池上的应用 37-65
2.1 引言 37-39
2.2 实验方法 39-41
2.2.1 NAN叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 39
2.2.2 以NAN和ITO为阳极的太阳能电池的制备方法与性能测试 39-41
2.3 结果与讨论 41-51
2.3.1 NAN薄膜的光学性能 41-45
2.3.2 NAN薄膜的电学性能及其稳定性 45-48
2.3.3 NAN薄膜的表面形貌 48-49
2.3.4 NAN薄膜在有机太阳能电池中的应用 49-51
2.4 本章小结 51-52
2.5 引高仓健电影言 52-53
2.6 实验方法 53-54
2.7 结果与讨论 54-63
2.8 本章小结 63-65
第3章 叠层透明导电薄膜SnO_x/Ag/SnO_x的制备及其在有机太阳能电池中的应用 65-96
3.1 引言 65
3.2 实验方法 65-67
3.2.1 SAS叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 66
3.2.2 以SAS和ITO为阴极的太阳能电池的制备方法与性能测试 66-67
3.3 结果与讨论 67-77
3.3.1 SAS薄膜的光学性能 67-70
3.3.2 SAS薄膜的电学性能 70-72
3.3.3 SAS薄膜的表面形貌 72-73
3.3.4 SAS薄膜在有机太阳能电池中的应用 73-77
3.4 本章小结 77-78
3.5 引言 78-79
3.6 实验方法 79-80
3.6.1 Bi_2O_3界面层以及SASB电极的制备过程及测试方法 79-80
3.6.2 倒置太阳能电池的制备过程 80
3.7 结果与讨论 80-92
3.7.1 Bi_O_3作为阴极界面层在有机太阳能电池中的应用 80-82
3.7.2 SASB 薄膜的光电性能 82-84
3.7.3 SASB的表面形貌 84-86
3.7.4 低功函SASB电极在有机太阳能电池中的应用 86-92
3.8 本章小结 92-93
3.9 总结 93-94
3.10 展望 94-96
参考文献 96-111
在学期间学术成果情况 111-112
指导教师及作者简介 112-113
博士学位毕业论文提纲范文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目录 9-12
第1章 绪论 12-26
1.1 半导体激光器的研究进展 12-21
1.1.1 高功率半导体激光器 12-15
1.1.2 高效率半导体激光器 15
1.1.3 高可靠性半导体激光器 15-16
1.1.4 高光束质量半导体激光器 16-18
1.1.5 窄线宽半导体激光器 18-21
1.2 单纵模半导体激光器的研究进展 21-23
1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展 22-23
1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研心灵深处究进展 23
1.3 本文的研究目的与内容 23-26
第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析 26-46
2.1 半导体激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半导体的辐射跃迁 26-27
2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件 27-29
2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率 29-31
2.2.1 半导体激光器的输出功率 29-30
2.2.2 半导体激光器的转化效率 30-31
2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性 31-32
2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型 32-38
2.4.1 分布反馈激光器和分布布拉格反射激光器 32-33
2.4.2 散射理论 33-36
2.4.3 传输矩阵理论模型 36-38
2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析 38-42
2.5.1 传输矩阵分析 38-40
2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱 40-42
2.6 单纵模激光器的空间相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理论计算方法 43-45
2.7 本章小结 45-46
第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备 46-68
3.1 外延生长技术 46-47
3.2 光刻技术 47学习心得体会范文-52
3.3 刻蚀技术 52-61
3.3.1 干法刻蚀 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索 55-59
3.3.3 湿法腐蚀 59-61
3.4 薄膜生长技术 61-65
3.4.1 电绝缘膜生长技术 62
3.4.2 金属电极生长技术 62-64
3.4.3 光学薄膜生长技术 64-65
3.5 高阶光栅半导体激光器的制备 65-66
3.6 本章小结 66-68
第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器 68-94
4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器 68-81
4.1.1 器件结构设计 68-76
4.1.2 器件制备 76-77
4.1.3 器件测量结果 77-81
4.2 双波长高阶光栅分将进酒多少字布布拉苍鼠格发射激光器 81-86
4.2.1 器件设计 81-83
4.2.2 器件制备 83-84
4.2.3 器件测量结果 84-86
4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光谱分析技术原理 87-88
4.3.2 测试结果与分析 88-92
4.4 本章小结 92-94
第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器 94-100
5.1 器件制备 94-96
5.2 器件测量结果 96-99
5.3 本章小结 99-100
第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理论 101-103
6.1.2 测试结果 103-107
6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究 107-114
6.2.1 器件设计 107-110
6.2.2 器件制备 110
6.2.3 测试结果 110-114
6.3 本章小结 114-116
第7章 总结与展望 116-118
参考文献 118-132